近期，国产半导体行业迎来一些重要突破，涉及景嘉微、龙芯中科、镓仁半导体、连科半导体、中欣晶圆、国芯科技、澜起科技等企业，相关技术涵盖了GPU、MCU芯片、时钟芯片、碳化硅、氧化镓等多个半导体关键领域。

从表格中可以看出，国产企业正逐步在AI加速、功率半导体等方面实现自主可控，并努力在多个领域与国际巨头展开更激烈的竞争，以逐步实现市场份额的扩展，推动国产芯片在全球市场中占据越来越重要的地位。

2024年12月3日，国产GPU龙头景嘉微发布公告称，JM11系列新款图形处理芯片已完成流片、封装阶段工作。不过，该产品尚未完成全部测试工作，也尚未形成量产和对外销售。

图片来源：景嘉微公告截图

公告显示，景嘉微JM11系列图形处理芯片支持国内外主流CPU，兼容Linux、Windows等国内外主流操作系统，支持虚拟化，满足图形工作站、云桌面、云游戏等应用领域。该系列芯片的成功流片和封装将进一步丰富景嘉微产品线和核心技术储备，有利于增强公司核心竞争力。

在全球GPU市场中，NVIDIA和AMD仍占据主导地位。未来，随着技术的成熟与应用的深入，景嘉微、摩尔线程、壁仞科技、燧原科技等国产GPU企业正在加快发展步伐，有望进一步缩小与国际巨头的差距，逐步扩大在国内外市场的份额，尤其是在云计算、大数据、人工智能等领域。

此外，景嘉微此前公告指出，公司拟作为有限合伙人拟使用自有资金向湖南钧犀高创二期科技产业基金合伙企业（有限合伙）增资3400万元。增资后，基金规模仍为10亿元，公司作为有限合伙人认缴不超过2.34亿元，基金管理公司、钧犀资本及其他合格投资者共认缴不超过7.66亿元。

该产业投资基金主要结合公司在半导体及专用市场应用领域的丰富资源，持续聚焦泛半导体产业链开展深度投资布局，重点挖掘面向先进计算、工控、车规和专用市场应用的投资机遇；加大在数字产业链、先进材料等产业链上游的拓展深度；面向工业、汽车智能化以及专用市场的产业链下游应用需求，持续挖掘优质项目并加大布局力度。

11月29日，镓仁半导体官微宣布，公司于2024年10月在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破，成功生长出2英寸N型氧化镓单晶并制备出2英寸晶圆级N型（010）晶面氧化镓单晶衬底。衬底平均电阻率＜30mΩ·cm，电阻率均匀性＜5%。

在氧化镓单晶衬底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表现而备受青睐。但受限于衬底尺寸、性能及加工难度，无法在科研和产业中得到充分应用。目前镓仁半导体制备的导电型衬底，突破了（010）晶圆尺寸的桎梏，丰富了公司的衬底产品线，夯实了氧化镓外延和器件的科研基础，也满足了氧化镓产业发展的迫切需求。

镓仁半导体一直致力于直拉法氧化镓晶体生长技术的研发，于今年相继完成2英寸UID和半绝缘直拉晶体的技术突破，并成功解决了（010）晶面衬底加工技术难题，成为国际上首个也是目前唯一的2英寸（010）晶面衬底产品供应商。

业界认为，随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的广泛应用，氧化镓作为第三代半导体材料的潜力愈发显现。镓仁半导体的突破，使得氧化镓材料的产业化进程加快，预计未来将在电力电子、5G通信、电动汽车等领域找到更广泛的应用。国内外企业也将加大对这一新型材料的研发投入，推动整个半导体产业链的升级。

11月28日，连城数控官微宣布，近日连科半导体8吋碳化硅（SiC）电阻式长晶炉（型号：PVT-RS-40）在客户现场完成批量验收，标志着连科半导体8吋电阻炉量产进入国内第一梯队。同时，连科半导体还成功制备出了直径超210毫米，厚度30毫米的8吋导电型碳化硅晶体，晶体表面光滑无缺陷。

图片来源：连城数控

连科半导体的8吋碳化硅电阻式长晶炉，通过石墨电阻发热，热辐射传导石墨坩埚进行加热，可调整石墨加热器的结构，有效的进行分区功率控制和温场的控制，更适合生长大尺寸的碳化硅晶体。

连城数控在辽宁大连、江苏无锡、美国罗切斯特、越南海防设立了四大研发制造基地，布局光伏与半导体装备领域全产业链。在半导体装备领域，此前10月底，连科半导体的液相法碳化硅（感应）加热长晶炉及液相法碳化硅电阻加热长晶炉已在客户现场完成验收。液相法技术在细分领域的优势逐步凸显，尤其适用于生长P型碳化硅衬底，可实现生长低位错密度、高品质的碳化硅晶片，显著提升碳化硅晶片的生产成品率并降低成本。

碳化硅作为未来电力电子设备中的关键材料，在新能源汽车、充电桩、光伏、储能等领域的应用前景非常广阔。据TrendForce集邦咨询研究指出，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到91.7亿美元（约648亿人民币）。

11月24日，CPU芯片设计公司国芯科技发布公告称，公司研发的高性能AI MCU芯片新产品CCR7002于近日在公司内部测试中获得成功。
根据公告，芯片新产品CCR7002是公司与广东赛昉科技有限公司（以下简称“赛昉科技”）共同研发推出的高性能AI MCU芯片，采用多芯片封装技术集成了赛昉科技的高性能SoC芯片子系统与公司的AI芯片子系统。

新产品CCR7002具有丰富的外部接口和多个的高速接口，如PCIE2.0、USB3.0、GMAC、SD3.0、CAN2.0、PWMT、ADC等，集成了AES、3DES、HASH、SM4、PKA和TRNG等安全引擎。并支持Linux操作系统，内部集成GPU，兼容主流摄像头传感器，支持H.264/H.265/JPEG编解码和4K@30fps显示。CCR7002芯片可以面向工业控制、能量控制、楼宇控制、智慧交通等领域实现应用。

国芯科技表示，公司和赛昉科技共同拥有该芯片新产品的知识产权。本次新产品研发成功，丰富了公司AI MCU芯片产品线，完善了公司在AI MCU芯片产品领域的布局，提高了公司在该领域的竞争力，对公司未来业绩成长性预计将产生积极的影响。

数据处理及互连芯片设计公司澜起科技近日在互动平台表示，目前，时钟芯片国产化程度较低，主要市场份额被少数几家海外厂商（如Skyworks、TI、Renesas、Microchip等）占据，国产替代空间广阔。公司今年已推出首批可编程时钟发生器芯片系列产品，目前处于量产准备阶段。

澜起科技可编程时钟发生器芯片具备高精度和低功耗的优点，支持多种输出格式，可以广泛应用于5G基站、工业自动化、汽车电子及消费电子等多个领域。

澜起科技致力于为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案。澜起科技称，公司未来将进一步完善时钟芯片的布局，持续丰富相关产品料号，希望能在不远的将来为客户提供时钟芯片“一站式”解决方案。

近日，龙芯中科披露投资者关系活动记录表中显示，龙芯中科下一代服务器芯片3C6000目前处于样片阶段，预计2025年Q2完成产品化实现批产并正式发布。

16核32线程的3C6000/S性能可对标至强4314，双硅片封装的32核64线程的3D6000（3C6000/D）可对标至强6338，四硅片封装60/64核120/128线程的3E6000（3C6000/Q）刚刚封装回来。

GPU芯片方面，目前在研的9A1000定位为入门级显卡以及终端的AI推理加速（32TOP），显卡性能对标AMDRX550，预计2024年底或者春节前代码冻结，争取明年上半年流片。

据官方介绍，龙芯9A1000支持PCIe 4.0系统总线，搭配128-bit位宽的LPDDR4X显存。性能参数方面，像素填充率16GP/s（每秒160亿个），纹理填充率32GT/s（每秒320亿个），算力为FP32 1TFlops（每秒1万亿次）、FP64 64GFlops（每秒640亿次）、INT8 32TFlops（每秒32万亿次）。

近日，中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破，良率达到行业先进水平，通过国内外客户验证并已实现规模量产。

中欣晶圆介绍称，其12英寸轻掺BCD硅片产品，先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术，以及高平坦度、洁净度的产品加工平台，使得产品具备优异的性能表现，未来将持续供应。

资料显示，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是功率集成电路的关键技术，结合模拟、数字、功率三种不同技术的优势，拥有稳定的性能表现和优异的电性参数，提高了芯片的可靠性，减少电磁干扰，拥有更小的芯片面积，广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率器件等领域。

随着集成电路工艺的进一步发展，BCD工艺已经成为功率集成电路的主流制造技术。据悉，BCD最初由意法半导体于1985年率先研制成功。目前，意法半导体依然是全球领先的BCD工艺制造商，已经生产了500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量产的十代工艺是90nm。

图片来源：意法半导体官网

从国内来看，BCD技术工艺在晶圆代工行业起步较早，并已实现规模量产。其中，中芯国际、华虹半导体、华润微、士兰微、芯联集成等企业在BCD工艺方面取得了突破。

业界指出，未来，BCD技术将朝着高电压、高功率、高密度三个关键方向发展，满足汽车电子、工控、消费电子等不同应用场景对高电压耐受、小型化、高集成度等的需求。

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